ISO 17560:2014
表面化學分析 - 二次離子質(zhì)譜法 - 硅在硅中深度分析的方法
Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth profiling of boron in silicon
- 標準號
- ISO 17560:2014
- 發(fā)布
- 2014年
- 總頁數(shù)
- 18頁
- 中文版
- GB/T 40109-2021 (等同采用的中文版本)
- 發(fā)布單位
- 國際標準化組織
- 當前最新
- ISO 17560:2014
- 引用標準
- ISO 14237:2010 ISO 5725-2:1994
- 本體
- 二次離子質(zhì)譜 硅 硼
- 適用范圍
- 本國際標準規(guī)定了一種二次離子質(zhì)譜法，該方法使用扇形磁場或四極桿質(zhì)譜儀對硅中的硼進行深度剖析，并使用觸針輪廓儀或光學干涉儀進行深度刻度校準。本方法適用于硼原子濃度在1×1016原子/cm3至1×1020原子/cm3之間，且坑深為50納米或更深的單晶、多晶或非晶硅樣品。
ISO 17560:2014 中提到的儀器設備
| 二次離子質(zhì)譜儀 | 用于檢測硼和硅的二次離子，并進行質(zhì)量分析。 |
| 探針輪廓儀 | 用于測量凹痕深度。 |