ASTM STP 712-1980
硅的壽命因素
Silicon Lifetime Factor
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- ASTM STP 712-1980
- 發(fā)布
- 1980年
- 總頁(yè)數(shù)
- 256頁(yè)
- 發(fā)布單位
- 美國(guó)材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì)
- 當(dāng)前最新
- ASTM STP 712-19
-
標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)：硅的壽命因素
適用范圍：本報(bào)告討論了硅材料中少數(shù)載流子壽命的特性及其影響因素，包括半導(dǎo)體硅中的少數(shù)載流子壽命特征概述、熱力學(xué)缺陷對(duì)少數(shù)載流子壽命的影響、晶體缺陷對(duì)少數(shù)載流子生成壽命的影響等。此外，還詳細(xì)介紹了幾種用于測(cè)量少數(shù)載流子壽命的技術(shù)方法。
本報(bào)告旨在通過(guò)分析與討論在半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中涉及到的少數(shù)載流子壽命問(wèn)題及其控制措施，為相關(guān)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展提供技術(shù)支持和指導(dǎo)。
| 術(shù)語(yǔ) | 描述 |
|---|---|
| 少數(shù)載流子 Minority Carrier | 在半導(dǎo)體材料中濃度較低的載流子，通常是電子或空穴中的一個(gè)類(lèi)型。 |
| 載流子壽命 Carrier Lifetime | 載流子在半導(dǎo)體材料中存活的時(shí)間長(zhǎng)度，受到缺陷和雜質(zhì)的影響。 |
專(zhuān)題
ASTM STP 712-1980相似標(biāo)準(zhǔn)
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