GB/T 2423.33-2021
環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Kca：高濃度二氧化硫試驗(yàn)
Environmental testing—Part 2: Test methods—Test Kca: High concentration sulfur dioxid
GBT2423.33-2021, GB2423.33-2021
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- GB/T 2423.33-2021
- 別名
- GBT2423.33-2021, GB2423.33-2021
- 發(fā)布
- 2021年
- 總頁(yè)數(shù)
- 12頁(yè)
- 發(fā)布單位
- 國(guó)家質(zhì)檢總局
- 當(dāng)前最新
- GB/T 2423.33-2021
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 16545-2015 GB/T 2421-2020 GB/T 5213-2019 GB/T 9789-2008
- 被代替標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 2423.33-2005
- 本體
- 二氧化硫
- 適用范圍
- 本文件規(guī)定了試樣在含有高濃度二氧化硫的冷凝水交變氣候中試驗(yàn)的一般條件和方法,特別是針對(duì)GB/T9789—2008 中未包含的二氧化硫濃度,以便在不同的實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行試驗(yàn)時(shí),能取得可作比較的試驗(yàn)結(jié)果。 本文件適用于確定產(chǎn)品及其使用材料在化學(xué)腐蝕環(huán)境條件下使用的適應(yīng)性。 本文件內(nèi)容不包括試樣形狀、試樣制備及試驗(yàn)結(jié)果的分析評(píng)定。有關(guān)這些方面的規(guī)定,可查閱相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)或根據(jù)具體情況協(xié)商。本試驗(yàn)不能直接用于耐腐蝕性的比較,除非防腐蝕系統(tǒng)的應(yīng)用環(huán)境相似。因?yàn)楦g試驗(yàn)條件與實(shí)際應(yīng)用條件有很大的差異,導(dǎo)致腐蝕進(jìn)程和腐蝕機(jī)理都不同。
| 二氧化硫 sulfur dioxide | 一種化學(xué)腐蝕劑，用于測(cè)試材料在特定環(huán)境下的耐腐蝕性。 |
| 冷凝水交變氣候試驗(yàn) condensing water alternating climate test | 模擬含有高濃度二氧化硫的冷凝水環(huán)境，評(píng)估材料抗腐蝕性能的方法。 |
GB/T 2423.33-2021 中提到的儀器設(shè)備
其他標(biāo)準(zhǔn)
專(zhuān)題
GB/T 2423.33-2021相似標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 2423.33-2005 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分;試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Kca:高濃度二氧化硫試驗(yàn)
GB/T 2423.33-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Kca:高濃度二氧化硫試驗(yàn)方法
DIN V 40046-36:2006-08 環(huán)境試驗(yàn) 第36部分：試驗(yàn) 試驗(yàn)Kx：接觸件和連接件的低濃度二氧化硫
GB/T 2423.19-2013 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Kc:接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)
GB/T 2424.11-2013 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Kc:接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)導(dǎo)則
GB/T 2423.33-2021系列標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 2423.1-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn).第2部分:試驗(yàn)方法.試驗(yàn)A: 低溫
GB/T 2423.10-2019 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fc: 振動(dòng)(正弦)
GB/T 2423.101-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn).第2部分:試驗(yàn)方法.試驗(yàn):傾斜和搖擺
GB/T 2423.102-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn).第2部分:試驗(yàn)方法.試驗(yàn):溫度(低溫、高溫)/低氣壓/振動(dòng)(正弦)綜合
GB/T 2423.11-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fd: 寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--一般要求
GB/T 2423.12-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fda: 寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--高再現(xiàn)性
GB/T 2423.13-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fdb: 寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--中再現(xiàn)性
GB/T 2423.14-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fdc: 寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--低再現(xiàn)性
GB/T 2423.15-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn).第2部分: 試驗(yàn)方法.試驗(yàn)Ga和導(dǎo)則: 穩(wěn)態(tài)加速度
GB/T 2423.16-2022 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)J和導(dǎo)則：長(zhǎng)霉
GB/T 2423.17-2024 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ka：鹽霧
GB/T 2423.18-2021 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Kb：鹽霧，交變（氯化鈉溶液）
GB/T 2423.19-2013 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Kc:接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)
GB/T 2423.2-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn).第2部分:試驗(yàn)方法.試驗(yàn)B:高溫
GB/T 2423.20-2014 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Kd:接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)
GB/T 2423.21-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn).第2部分:試驗(yàn)方法.試驗(yàn)M:低氣壓
GB/T 2423.22-2012 環(huán)境試驗(yàn).第2部分：試驗(yàn)方法.試驗(yàn)N：溫度變化
GB/T 2423.23-2013 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Q:密封
GB/T 2423.24-2022 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)S：模擬地面上的太陽(yáng)輻射及太陽(yáng)輻射試驗(yàn)和氣候老化試驗(yàn)導(dǎo)則
GB/T 2423.25-2008 電工電子產(chǎn)品 環(huán)境試驗(yàn).第2部分:試驗(yàn)方法.試驗(yàn)Z/AM:低溫/低氣壓綜合試驗(yàn)
GB/T 2423.26-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn).第2部分:試驗(yàn)方法.試驗(yàn)Z/BM:高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)
GB/T 2423.27-2020 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Z/AMD:低溫/低氣壓/濕熱連續(xù)綜合試驗(yàn)
GB/T 2423.28-2005 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分;試驗(yàn)方法 試驗(yàn)T:錫焊
GB/T 2423.29-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)U:引出端及整體安裝件強(qiáng)度
GB/T 2423.3-2016 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cab：恒定濕熱試驗(yàn)