本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用紅外光譜法測(cè)定硅單晶晶體中間隙氧含量的方法。 適用于室溫電阻率大于 $0.1~\Omega\cdot\mathrm{cm}$ 的N型硅單晶和室溫電阻率大于 $0.5~\Omega\cdot\mathrm{cm}$ 的P型硅單晶中間隙氧含量的測(cè)定。
術(shù)語(yǔ) | |
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色散型紅外光譜儀 | dispersive infrared spectrophotometer |
傅里葉變換紅外光譜儀 | Fourier transform infrared spectrophotometer |
參比光譜 | reference spectrum |
樣品光譜 | sample spectrum |
紅外光譜儀 分辨率應(yīng)達(dá)到 $4~\mathrm{cm}^{-1}$ 或更好(傅里葉變換型);$5~\mathrm{cm}^{-1}$ 或更好(色散型) | 用于測(cè)量樣品在特定波數(shù)范圍內(nèi)的吸收特性。 |
樣品架 適用于小尺寸樣品的固定裝置 | 確保樣品垂直于紅外光束軸線方向,避免旁路光線干擾。 |
厚度測(cè)量設(shè)備 精度大于 $0.01\mathrm{mm}$ | 用于精確測(cè)量硅片的厚度以保證測(cè)試準(zhǔn)確性。 |
溫度測(cè)量設(shè)備 熱電偶-毫伏計(jì)等 | 監(jiān)控測(cè)試環(huán)境的溫度,確保其恒定在規(guī)定范圍內(nèi)。 |
濕度測(cè)試設(shè)備 濕度計(jì)等 | 監(jiān)測(cè)測(cè)試環(huán)境的濕度,確保低于60%以減少干擾因素。 |
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