ASTM F673-02
半導(dǎo)體切片或薄膜電阻率的非接觸渦流探頭測(cè)量方法

Non-contact eddy current probe measurement method for resistivity of semiconductor slices or films

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標(biāo)準(zhǔn)號(hào)

ASTM F673-02   中文首頁

發(fā)布

2002年

總頁數(shù)

6頁

發(fā)布單位

美國(guó)材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì)

當(dāng)前最新

ASTM F673-02

 

 

引用標(biāo)準(zhǔn)

ASTM E1 ASTM E691 ASTM F1527 ASTM F374 ASTM F533 ASTM F81 ASTM F84

適用范圍

1.1 這些測(cè)試方法涵蓋了硅和某些砷化鎵切片的體電阻率的無損測(cè)量，以及使用非接觸式渦流在有限范圍的基板上在切片中心點(diǎn)制造的硅或砷化鎵薄膜的薄層電阻的無損測(cè)量。電流表。
1.1.1 測(cè)量在 18 至 28°C 之間的室溫下進(jìn)行。
1.2 這些測(cè)試方法目前僅限于單晶和多晶硅以及外導(dǎo)電砷化鎵塊狀樣品或在相對(duì)高電阻率基底上制造的硅或砷化鎵薄膜，但原則上可以擴(kuò)展到覆蓋其他半導(dǎo)體材料。
1.2.1 塊狀硅或砷化鎵樣品可以是單晶或多晶，并且可以是切片（圓形或其他形狀）形式的導(dǎo)電類型（p 或 n），沒有擴(kuò)散或其他導(dǎo)電層在其上制造，沒有裂紋、空隙或其他結(jié)構(gòu)不連續(xù)性，并且 (1) 通過切片中心點(diǎn)測(cè)量的邊到邊尺寸不小于 25 毫米（1.00 英寸）； (2)厚度在0.1至1.0mm(0.004至0.030英寸)范圍內(nèi)，包括端值，以及(3)電阻率在0.001至200V·cm范圍內(nèi)，包括端值。并非所有厚度和電阻率的組合都是可測(cè)量的。該儀器從根本上限于固定的薄層電阻范圍，如 1.2.2 中給出的；另見 9.3。
1.2.2 硅或砷化鎵薄膜可以通過擴(kuò)散、外延或離子注入工藝制造。該層的方塊電阻應(yīng)在每平方 2 至 3000 V 的標(biāo)稱范圍內(nèi)。其上制造薄膜的基板應(yīng)具有 25 毫米的最小邊到邊尺寸（通過中心點(diǎn)測(cè)量）和至少為薄膜電阻的 1000 3 的有效薄層電阻。塊體基板的有效薄層電阻是其塊體電阻率（以 V·cm 為單位）除以其厚度（以 cm 為單位）。
1.2.3 測(cè)量結(jié)果不受樣品表面光潔度的影響。
1.3 這些測(cè)試方法要求使用電阻率標(biāo)準(zhǔn)來校準(zhǔn)設(shè)備（見 7.1），并使用一組參考樣本來鑒定設(shè)備（見 7.1.2）。
1.4 以 SI 單位表示的數(shù)值應(yīng)被視為標(biāo)準(zhǔn)。括號(hào)中給出的值僅供參考。 1 本測(cè)試方法由 ASTM F01 電子委員會(huì)管轄，并由 F01.06 硅材料和過程控制小組委員會(huì)直接負(fù)責(zé)。當(dāng)前版本于 2002 年 12 月 10 日批準(zhǔn)。2003 年 2 月發(fā)布。最初于 1980 年批準(zhǔn)。上一版于 1990 年批準(zhǔn)為 F 673 – 90 (1996)e1。 1 版權(quán)所有 ? ASTM International，地址：100 Barr Harbor Drive, PO Box C700, West Conshohocken, PA 19428-2959, United States。注意：本標(biāo)準(zhǔn)已被新版本取代或廢止。請(qǐng)聯(lián)系 ASTM 國(guó)際 (www.astm.org) 了解最新信息。
1.5 本標(biāo)準(zhǔn)并不旨在解決與其使用相關(guān)的所有安全問題（如果有）。本標(biāo)準(zhǔn)的使用者有責(zé)任在使用前建立適當(dāng)?shù)陌踩徒】祵?shí)踐并確定監(jiān)管限制的適用性。

ASTM F673-02 中提到的儀器設(shè)備

專題

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