GB/T 13150-2005
半導體器件 分立器件 電流大于 100A、環(huán)境和管殼額定的雙向三極晶閘管空白詳細規(guī)范
Semiconductor devices-Discrete devices-Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs),ambient and case-rated,for currents greater than 100A
GBT13150-2005, GB13150-2005
- 標準號
- GB/T 13150-2005
- 別名
- GBT13150-2005, GB13150-2005
- 發(fā)布
- 2005年
- 采用標準
- IEC 60747-6-2:1991 NEQ
- 發(fā)布單位
- 國家質檢總局
- 當前最新
- GB/T 13150-2005
- 被代替標準
- GB/T 13150-1991
- 適用范圍
- 國際電工委員會電子元器件質量評定體系(IECQ)遵循國際電工委員會的章程，在國際電工委員會授權下開展工作。評定體系的目的是以這樣一種方式確定質量評定程序，即一個成員國按照符合適用規(guī)范要求所放行的電子元器件在其他所有成員國無需再試驗同樣為合格。 本空白詳細規(guī)范是半導體器件一系列空白詳細規(guī)范的一個，應與下列國家標準一起使用。 ——GB/T 4589.1-1989 半導體器件 分力器件和集成電路總規(guī)范 ——GB/T 12560-1999 半導體器件 分力器件分規(guī)范
專題
GB/T 13150-2005相似標準
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