GB/T 32281-2015
太陽(yáng)能級(jí)硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的測(cè)定 二次離子質(zhì)譜法
Test method for measuring oxygen, carbon, boron and phosphorus in solar silicon wafers and feedstock.Secondary ion mass spectrometry
GBT32281-2015, GB32281-2015
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- GB/T 32281-2015
- 別名
- GBT32281-2015, GB32281-2015
- 發(fā)布
- 2015年
- 總頁(yè)數(shù)
- 8頁(yè)
- 發(fā)布單位
- 國(guó)家質(zhì)檢總局
- 當(dāng)前最新
- GB/T 32281-2015
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM E673 GB/T 14264 GB/T 2828.1
- 適用范圍
- 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽(yáng)能級(jí)硅片和硅料中氧、碳、硼和磷元素體含量的二次離子質(zhì)譜(SIMS)檢測(cè)方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于檢測(cè)各元素體含量不隨深度變化、且不考慮補(bǔ)償?shù)奶?yáng)能級(jí)單晶或多晶硅片或硅料中氧、碳、硼和磷元素的體含量。各元素體含量的檢測(cè)上限均為0.2%(即<1×1020 atoms/cm3)，檢測(cè)下限分別為氧含量≥5×1016 atoms/cm3、碳含量≥1×1016 atoms/cm3、硼含量≥1×1014 atoms/cm3和磷含量≥2×1014 atoms/cm3。四種元素體含量的測(cè)定可使用配有銫一次離子源的SIMS儀器一次完成。
| 術(shù)語(yǔ) | 描述 |
|---|---|
| 氧含量 oxygen content | 硅片或硅料中氧元素的體含量，檢測(cè)下限為5×10^16 atoms/cm3 |
| 相對(duì)靈敏度因子(RSF) relative sensitivity factor (RSF) | 用于將二次離子計(jì)數(shù)率轉(zhuǎn)換為元素體含量的標(biāo)量因子 |
GB/T 32281-2015 中提到的儀器設(shè)備
| SIMS儀器 配備銫一次離子源，質(zhì)量分辨率優(yōu)于4000 | 用于檢測(cè)硅片中氧、碳、硼和磷元素的體含量 |
| 法拉第杯檢測(cè)器 | 用于檢測(cè)二次離子的絕對(duì)電流強(qiáng)度 |