GB/T 13389-1992
摻硼磣磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程
Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon
GBT13389-1992, GB13389-1992
2015-09
- 標(biāo)準(zhǔn)號
- GB/T 13389-1992
- 別名
- GBT13389-1992, GB13389-1992
- 發(fā)布
- 1992年
- 總頁數(shù)
- 19頁
- 采用標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM F723 EQV
- 發(fā)布單位
- 國家質(zhì)檢總局
- 替代標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 13389-2014
- 當(dāng)前最新
- GB/T 13389-2014
- 本體
- 電阻率 硅單晶
- 適用范圍
- 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了23℃時摻硼摻磷硅單晶電阻率和摻雜劑濃度間的換算方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于摻雜劑濃度1012～1021cm-3（電阻率0.0001～10，000Ω·cm）摻硼硅單晶和1012～5×1020cm-3（電阻率0.0002～4，000Ω·cm）摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度的換算，也可擴(kuò)展到硅中激活能與硼、磷相似的其他摻雜劑。