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シリコン表面元素分析

シリコン表面元素分析は全部で 102 項標(biāo)準(zhǔn)に関連している。

シリコン表面元素分析 國際標(biāo)準(zhǔn)分類において、これらの分類：分析化學(xué)、 建材、 ブラックメタル、 道路工事、 金屬材料試験、 非金屬鉱物、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 情報技術(shù)用の言語、 非鉄金屬、 ガラス、 化學(xué)製品、 グラフィックシンボル、 水質(zhì)。

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), シリコン表面元素分析

• KS D ISO 14706-2003(2018) 表面化學(xué)分析 – 全反射蛍光X線分析裝置によりシリコンウェーハ表面の元素不純物を測定
• KS D ISO 17973-2011(2021) 表面化學(xué)分析 - 中分解能オージェ電子分光計 - 元素分析用のエネルギースケールの校正
• KS D ISO 17973-2011(2016) 表面化學(xué)分析における中分解能オージェ電子分光計の元素分析用のエネルギースケールの校正
• KS D ISO 17973:2011 表面化學(xué)分析 中分解能スパイラル電子分光計 元素分析用のエネルギースケールの校正
• KS D ISO 17974-2011(2021) 表面化學(xué)分析 - 高分解能オージェ電子分光計 - 元素および化學(xué)狀態(tài)分析のためのエネルギースケールの校正
• KS D ISO 17974-2011(2016) 表面化學(xué)分析用の高分解能オージェ電子分光計の元素および化學(xué)狀態(tài)分析のためのエネルギースケールの校正
• KS D ISO 17974:2011 表面化學(xué)分析 高分解能スパイラル電子分光計 元素および化學(xué)狀態(tài)分析のためのエネルギースケールの校正
• KS D ISO 17560-2003(2018) 表面化學(xué)分析 - 二次イオン質(zhì)量分析 - シリコン中のボロン深さ分布測定法
• KS D ISO 14706:2003 表面化學(xué)分析 全反射蛍光X線分析法を使用したシリコンウェーハ表面の主な汚染物質(zhì)の測定
• KS M ISO 8215:2007 界面活性剤 粉末洗剤 総シリカ含有量の測定 重量法
• KS D ISO 14237-2003(2018) 表面下分析-二次イオン質(zhì)量分析-シリコン中に均一に添加されたホウ素原子濃度の測定方法
• KS D ISO 17560:2003 表面化學(xué)分析 再生イオン質(zhì)量の分光測定 シリコン中のホウ素のディーププロファイリング法

KR-KS, シリコン表面元素分析

• KS D ISO 14706-2003(2023) 表面化學(xué)分析 – 全反射蛍光X線分析裝置によりシリコンウェーハ表面の元素不純物を測定
• KS D ISO 17560-2003(2023) 表面化學(xué)分析?二次イオン質(zhì)量分析?シリコン中のホウ素深さ分布測定場法
• KS D ISO 14237-2003(2023) 表面下の化學(xué)分析 - 二次イオン質(zhì)量分析 - シリコン中に均一に添加されたホウ素原子の濃度の測定方法

國家市場監(jiān)督管理總局、中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會, シリコン表面元素分析

• GB/T 40110-2021 表面化學(xué)分析 全反射蛍光 X 線分析 (TXRF) によるシリコン ウェーハ表面の元素汚染の測定
• GB/T 39527-2020 固體表面製品中のカルシウム、アルミニウム、シリコン元素含有量を決定するための化學(xué)分析法
• GB/T 29732-2021 表面化學(xué)分析用中分解能オージェ電子分光計の元素分析用エネルギースケールの校正
• GB/T 39145-2020 誘導(dǎo)結(jié)合プラズマ質(zhì)量分析法によるシリコンウェーハ表面の金屬元素含有量の測定
• GB/T 40109-2021 表面化學(xué)分析 シリコン中のホウ素の深さ分析のための二次イオン質(zhì)量分析法

British Standards Institution (BSI), シリコン表面元素分析

• BS ISO 14706:2000 表面化學(xué)分析 全反射蛍光 X 線 (TXRF) 分光法を使用したシリコン ウェーハ表面の元素汚染物質(zhì)の測定
• BS ISO 14706:2014 表面化學(xué)分析 全反射蛍光 X 線 (TXRF) 分光法を使用したシリコン ウェーハ表面の元素汚染物質(zhì)の測定
• BS ISO 14706:2001 表面化學(xué)分析 全反射蛍光 X 線 (TXRF) 分光法を使用したシリコン ウェーハ表面の元素汚染物質(zhì)の測定
• BS ISO 17973:2016 表面化學(xué)分析における分解能オージェ電子分光計の元素分析のためのエネルギースケールの校正
• BS ISO 17331:2004+A1:2010 表面化學(xué)分析: シリコンウェーハ作業(yè)標(biāo)準(zhǔn)材料の表面から元素を収集する化學(xué)的方法と、全反射蛍光 X 線分光法 (TXRF) によるそれらの測定
• BS ISO 17973:2003 表面化學(xué)分析 中分解能スパイラル電子分光計 元素分析用のエネルギースケールの校正
• BS ISO 12406:2010 表面化學(xué)分析、二次イオン質(zhì)量分析、シリコン中のヒ素の深さプロファイリング。
• BS ISO 17974:2002 表面化學(xué)分析 高分解能スパイラル電子分光計 元素および化學(xué)狀態(tài)分析のためのエネルギースケールの校正
• BS ISO 17560:2002 表面化學(xué)分析、再生イオン質(zhì)量分析、シリコン中のホウ素のディーププロファイリング分析。
• BS ISO 17560:2014 表面化學(xué)分析、再生イオン質(zhì)量分析、シリコン中のホウ素のディーププロファイリング分析。
• BS ISO 19668:2017 表面化學(xué)分析 X 線光電子分光法 均質(zhì)材料における元素検出限界の推定と報告
• BS ISO 14701:2018 表面化學(xué)分析 X線光電子分光分析 シリコン酸化膜厚測定
• BS ISO 14701:2011 表面化學(xué)分析、X線光電子分光法、シリカ厚さ測定
• BS ISO 23812:2009 表面化學(xué)分析、二次イオン質(zhì)量分析、マルチデルタ層基準(zhǔn)物質(zhì)を使用したシリコンの深さ校正方法。

International Organization for Standardization (ISO), シリコン表面元素分析

• ISO 17331:2004/Amd 1:2010 表面化學(xué)分析 化學(xué)的手法および光學(xué)分析裝置 (TXRF) による分光測定を使用したシリコンウェーハ加工標(biāo)準(zhǔn)材料表面元素の収集 修正 1
• ISO/TR 6306:1989 鋼の化學(xué)分析では元素が順番にリストされます
• ISO/DIS 17973:2023 表面化學(xué)分析における元素分析エネルギー準(zhǔn)位の分解能オージェ電子分光計の校正
• ISO/CD 17973 表面化學(xué)分析における分解能オージェ電子分光計の元素分析のためのエネルギースケールの校正
• ISO 17331:2004 表面化學(xué)分析シリコンウェーハ作業(yè)標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)の表面から元素を収集する化學(xué)的方法と全反射蛍光 X 線分光法によるそれらの定量
• ISO 17973:2016 表面化學(xué)分析 中分解能スパイラル電子分光計 元素分析用のエネルギースケールの校正
• ISO 17973:2002 表面化學(xué)分析 中分解能スパイラル電子分光計 元素分析用のエネルギースケールの校正
• ISO 17560:2014 表面化學(xué)分析 - 二次イオン質(zhì)量分析 - シリコン中のシリコンを深く分析する方法
• ISO 12406:2010 表面化學(xué)分析、二次イオン質(zhì)量分析、シリコン中のヒ素の深さプロファイリング。
• ISO 17974:2002 表面化學(xué)分析 高分解能スパイラル電子分光計 元素および化學(xué)狀態(tài)分析のためのエネルギースケールの校正
• ISO 19668:2017 表面化學(xué)分析、X 線光電子分光法、均質(zhì)材料の元素検出限界の推定と報告。
• ISO 14701:2018 表面化學(xué)分析 - X線光電子分光法 - シリコン酸化膜厚測定
• ISO 14706:2000 表面化學(xué)分析 全反射蛍光 X 線 (TXRF) 測定を使用したシリコンウェーハの基本的な表面汚染の測定
• ISO 14706:2014 表面化學(xué)分析 全反射蛍光 X 線 (TXRF) 測定を使用したシリコンウェーハの基本的な表面汚染の測定
• ISO 14701:2011 表面化學(xué)分析、X 線光電子分光法、二酸化ケイ素の厚さの測定。
• ISO 17560:2002 表面化學(xué)分析 再生イオン質(zhì)量の分光測定 シリコン中のホウ素のディーププロファイリング法

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, シリコン表面元素分析

• GB/T 30701-2014 表面化學(xué)分析: 化學(xué)物質(zhì)収集法と全反射蛍光 X 線分析 (TXRF) によるシリコン ウェーハ作業(yè)標(biāo)準(zhǔn)サンプルの表面元素の測定
• GB/T 29732-2013 中分解能オージェ電子分光計の元素分析用のエネルギースケール校正（表面化學(xué)分析用）
• GB/T 32055-2015 マイクロビーム分析 電子プローブ微量分析 分光分析 元素表面分析
• GB/T 29731-2013 表面化學(xué)分析 高分解能オージェ電子分光計 元素および化學(xué)狀態(tài)分析のためのエネルギースケール校正
• GB/T 14506.30-2010 珪酸塩巖の化學(xué)分析法 第30部：44元素の定量
• GB/T 32495-2016 表面化學(xué)分析 二次イオン質(zhì)量分析 シリコン中のヒ素の深さプロファイリング方法
• GB/T 14506.29-2010 珪酸塩巖の化學(xué)分析法 第 29 部：レアアースを含む 22 元素の定量
• GB/T 14506.28-1993 ケイ酸塩巖の化學(xué)分析法 蛍光X線分析による主要元素と微量元素の測定
• GB/T 14849.5-2010 工業(yè)用シリコンの化學(xué)分析方法 パート 5: 元素含有量の測定 蛍光 X 線分析
• GB/T 14849.5-2014 工業(yè)用シリコンの化學(xué)分析方法 第5部 不純物元素含有量の定量 蛍光X線分析法
• GB/T 14849.4-2008 工業(yè)用シリコンの化學(xué)分析方法 パート 4: 誘導(dǎo)結(jié)合プラズマ発光分光法による元素含有量の測定

Association Francaise de Normalisation, シリコン表面元素分析

• NF ISO 17973:2006 表面化學(xué)分析における分解能オージェ電子分光計の元素分析のためのエネルギースケールの校正
• NF X21-054*NF ISO 17973:2006 表面化學(xué)分析 中分解能スパイラル電子分光計 元素分析用のエネルギースケールの校正
• NF ISO 17974:2009 元素および化學(xué)狀態(tài)分析のための表面化學(xué)分析用の高分解能オージェ電子分光計のエネルギースケール校正
• NF X21-067*NF ISO 17974:2009 表面化學(xué)分析、高分解能オージェ電子分光計、元素や化學(xué)物質(zhì)の狀態(tài)分析のためのエネルギースケールの校正
• NF ISO 17560:2006 表面化學(xué)分析 二次イオン質(zhì)量分析 厚さ分析によるシリコン中のホウ素量の決定
• NF EN ISO 23157:2022 反応ガスガスクロマトグラフィーによるヒュームドシリカ表面のシラノール基含有量の測定
• NF ISO 14237:2010 表面化學(xué)分析 均一にドープされた材料を使用したシリコン內(nèi)のホウ素原子線量の二次イオン質(zhì)量分析分析
• NF EN 16424:2014 廃棄物の特性評価 - ポータブル蛍光 X 線分析裝置を使用した元素組成決定のためのスクリーニング方法
• NF X21-066*NF ISO 23812:2009 表面化學(xué)分析 二次イオン質(zhì)量分析 マルチデルタ層標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)を使用したシリコンの詳細(xì)な校正方法
• NF X21-051*NF ISO 17560:2006 表面化學(xué)分析 シリコン中のホウ素の再生イオン質(zhì)量分析測定 ディーププロファイリング法

RO-ASRO, シリコン表面元素分析

• STAS 9163/16-1973 シリコアルミナイト製品中の鉄、チタン、銅、マグネシウム、マンガンおよび銅元素のスペクトル分析

American Society for Testing and Materials (ASTM), シリコン表面元素分析

• ASTM E3008/E3008M-16(2023) 輸送面要素の標(biāo)準(zhǔn)分類 UNIFORMAT II
• ASTM D5738-95(2006) 地下水の化學(xué)分析の標(biāo)準(zhǔn)ガイドラインは、主要イオンおよび微量元素のプロットとして個別の分析として提示されます
• ASTM D5738-95(2000) 主要イオンおよび微量元素の地下水化學(xué)分析結(jié)果を表示するための標(biāo)準(zhǔn)ガイド、単一分析のグラフ。
• ASTM D5877-95(2000) 地下水の主要イオン?微量元素の化學(xué)分析結(jié)果表示の標(biāo)準(zhǔn)ガイド データ解析計算に基づくグラフ

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), シリコン表面元素分析

• JIS K 0165:2011 表面化學(xué)分析 中分解能スパイラル電子分光計 元素分析用のエネルギースケールの校正
• JIS K 0160:2009 表面化學(xué)分析では、シリコンウェーハ処理標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)の表面から元素と化學(xué)的方法を収集し、全反射蛍光 X 線 (TXRF) 分光光度法によってそれらを測定します。
• JIS K 0164:2023 シリコン中のホウ素の深さ分析のための表面化學(xué)分析二次イオン質(zhì)量分析法
• JIS K 0166:2011 表面化學(xué)分析 高分解能スパイラル電子分光計 元素および化學(xué)狀態(tài)分析のためのエネルギースケールの校正
• JIS K 0148:2005 表面化學(xué)分析 全反射蛍光 X 線 (TXRF) 測定を使用した、シリコン ウェーハ上の主な表面汚染物質(zhì)の測定。

未注明發(fā)布機構(gòu), シリコン表面元素分析

• BS ISO 17974:2002(2010) 表面化學(xué)分析および元素および化學(xué)狀態(tài)分析用の高分解能オージェ電子分光計のエネルギー準(zhǔn)位の校正

PL-PKN, シリコン表面元素分析

• PN H04208-03-1989 合金鉄の化學(xué)分析。 モリブデン鋼、シリコン含有量の測定

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局、中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會, シリコン表面元素分析

• GB/T 33236-2016 グロー放電質(zhì)量分析法による多結(jié)晶シリコンの微量元素化學(xué)分析

Standard Association of Australia （SAA）, シリコン表面元素分析

• AS ISO 17974:2006 表面化學(xué)分析。 高分解能オージェ電子分光法。 元素や化學(xué)物質(zhì)の狀態(tài)分析のためのエネルギースケール校正
• ISO 7291:2010/Amd.1:2015 表面化學(xué)分析 シリコンウェーハ作業(yè)用標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)の表面から元素を収集するための化學(xué)的方法と、全反射蛍光 X 線 (TXRF) 分光法によるそれらの測定 修正 1
• AS ISO 17560:2006 表面化學(xué)分析。 二次イオン質(zhì)量分析。 シリコンへのボロン注入の深さ分布解析法

German Institute for Standardization, シリコン表面元素分析

• DIN 51456:2013-10 半導(dǎo)體テクノロジー材料試験 水性分析溶液中の多元素測定のための誘導(dǎo)結(jié)合プラズマ質(zhì)量分析法 (ICP-MS) を使用したシリコンウェーハの表面分析
• DIN 51456:2013 半導(dǎo)體技術(shù)用材料の検査、誘導(dǎo)結(jié)合プラズマ質(zhì)量分析法 (ICP-MS) を使用した水分析溶液の多元素測定によるシリコン ウェーハの表面分析

Group Standards of the People's Republic of China, シリコン表面元素分析

• T/CASAS 032-2023 誘導(dǎo)結(jié)合プラズマ質(zhì)量分析法による炭化ケイ素ウェーハ表面の金屬元素含有量の測定
• T/CSTM 00012E-2021 レーザー誘起破壊分光法による鋼の多元素組成および狀態(tài)分布の特性評価のためのその場統(tǒng)計分布解析法
• T/CSTM 00012-2017 レーザー誘起破壊分光法による鋼の多元素組成および狀態(tài)分布の特性評価のためのその場統(tǒng)計分布解析法

International Electrotechnical Commission (IEC), シリコン表面元素分析

• IEC 61636-99:2016*IEEE Std 1636.99 保守情報収集?分析ソフトウェアインターフェース（Simica）：共通情報要素
• IEC 61636-99:2016 保守情報収集?分析ソフトウェアインターフェース（Simica）：共通情報要素
• IEC 61636:2021*IEEE Std 1636 保守情報収集?分析ソフトウェアインターフェース（Simica）：共通情報要素

CZ-CSN, シリコン表面元素分析

• CSN 72 0114 Cast.2 Z1-1997 ケイ酸塩の基本的な分析方法。 酸化マグネシウム錯體法による除去後の妨害元素の測定
• CSN 70 0527 Cast.1-1986 ケイ酸ガラス。 ガラス製品の表面抽出物の定量分析方法。 シリカの測定
• CSN 72 0113 Cast.2 Z1-1997 ケイ酸塩の基本的な分析手順。 妨害元素除去後の酸化カルシウムの測定および錯化法
• CSN 70 0527 Cast.2-1986 ケイ酸ガラス。 ガラス製品の表面抽出物の定量分析方法。 酸化ホウ素の測定
• CSN 70 0527 Cast.5-1986 ケイ酸ガラス。 ガラス製品の表面抽出物の定量分析方法。 酸化鉛の測定
• CSN 70 0527 Cast.4-1986 ケイ酸ガラス。 ガラス製品の表面抽出物の定量分析方法。 酸化鉄の定量

American Gear Manufacturers Association, シリコン表面元素分析

• AGMA 91FTM16-1991 有限要素法と面積分法を組み合わせた歯車の接觸解析

その他：   シリコン元素分析, シリコン表面元素分析, シリコン元素分析, ++++シリコン元素分析, 元素分析シリコンスペクトル, 元素分析 + シリコン, シリコン元素分析裝置, 表面元素分析, 表面元素分析 表面元素分析, 表面元素分析, シリコンの元素分析, 元素分析シリコン, ケイ素元素分析法, 元素分析裝置シリコン元素, 元素分析シリコン, シリコン元素の分析, シリコン元素分析, シリコンの元素分析定量, 元素分析シリコン元素, 元素表面分析.