GB/T 42838-2023由國家質(zhì)檢總局 CN-GB 發(fā)布于 2023-08-06,并于 2023-12-01 實(shí)施。
GB/T 42838-2023 在中國標(biāo)準(zhǔn)分類中歸屬于: L56 半導(dǎo)體集成電路,在國際標(biāo)準(zhǔn)分類中歸屬于: 31.200 集成電路、微電子學(xué)。
GB/T 42838-2023 半導(dǎo)體集成電路 霍爾電路測試方法的最新版本是哪一版?
最新版本是 GB/T 42838-2023 。
本文件規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路霍爾電路電特性測試方法。 本文件適用于半導(dǎo)體集成電路霍爾電路電特性的測試。
術(shù)語 | 描述 |
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工作點(diǎn)磁感應(yīng)強(qiáng)度 Magnetic operate point B_{op} | 在工作點(diǎn)上垂直穿過單位面積的磁力線的數(shù)量。 |
釋放點(diǎn)磁感應(yīng)強(qiáng)度 Magnetic release point {\pmb{{\cal B}}}_{\bf RP} | 在釋放點(diǎn)上垂直穿過單位面積的磁力線的數(shù)量。 |
回差 Return difference δB_{H} | 在儀表全部測量范圍內(nèi),被測量值上行和下行所得到的兩條特性曲線之間的最大偏差。 |
輸出上升時(shí)間 Output rise time t_r | 電路輸出由低電平變?yōu)楦唠娖剿璧臅r(shí)間。 |
輸出下降時(shí)間 Output fall time t_f | 電路輸出由高電平變?yōu)榈碗娖剿璧臅r(shí)間。 |
測試系統(tǒng) | 用于半導(dǎo)體集成電路霍爾電路電特性測試的專用設(shè)備。 |
信號(hào)發(fā)生器 | 生成測試向量或真值表的設(shè)備。 |
磁強(qiáng)計(jì) | 測量磁場強(qiáng)度的儀器。 |
半導(dǎo)體集成電路(英文名:semiconductor integrated circuit),是指在一個(gè)半導(dǎo)體襯底上至少有一個(gè)電路塊的半導(dǎo)體集成電路裝置?! “雽?dǎo)體集成電路是將晶體管,二極管等等有源元件和電阻器,電容器等無源元件,按照一定的電路互聯(lián),“集成”在一塊半導(dǎo)體單晶片上,從而完成特定的電路...
在集成電路行業(yè)大家想必都知道,集成電路IC卡在出廠之前是需要經(jīng)過高低溫測試的,來測試其在高低溫環(huán)境下的性能,集成電路 IC卡在出廠之前,一定要進(jìn)行環(huán)境測試,以此來對(duì)集成電路在不同工作環(huán)境下的性能進(jìn)行模擬,集成電路高低溫測試是依靠封裝級(jí)和晶片級(jí)集成電路專用高低溫測試機(jī),來協(xié)助廠商完成高低溫循環(huán)測試...
點(diǎn)擊圖片,了解更多會(huì)議日程詳情大會(huì)介紹我國航空航天的蓬勃發(fā)展,汽車也向電動(dòng)化的趨勢不斷探索,5G時(shí)代的到來,如何確保在各種復(fù)雜環(huán)境都能保證穩(wěn)定運(yùn)行,這都對(duì)新一代集成電路提出了更高的要求,對(duì)設(shè)計(jì)失誤的容忍度幾乎為0,因此必須在芯片進(jìn)入量產(chǎn)之前、量產(chǎn)中,需要進(jìn)行嚴(yán)格的驗(yàn)證測試?;诖?,儀器信息網(wǎng)聯(lián)合...
集成電路在大約5mm×5mm大小的硅片上,已集成了一臺(tái)微型計(jì)算機(jī)的核心部分,包含有一萬多個(gè)元件。集成電路典型制造過程見圖1。從圖1,可以看到,已在硅片上同時(shí)制造完成了一個(gè)N+PN晶體管,一個(gè)由 P型擴(kuò)散區(qū)構(gòu)成的電阻和一個(gè)由N+P結(jié)電容構(gòu)成的電容器,并用金屬鋁條將它們連在一起。實(shí)際上,在一個(gè)常用的...
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