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GSO ISO 17560:2013
表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜測定硅中硼深度數(shù)據(jù)的方法

Surface chemical analysis -- Secondary-ion mass spectrometry -- Method for depth profiling of boron in silicon

標(biāo)準(zhǔn)號: GSO ISO 17560:2013
發(fā)布: 2013年
發(fā)布單位: GSO
當(dāng)前最新: GSO ISO 17560:2013

適用范圍: 本國際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了二次離子質(zhì)譜方法，使用扇形磁質(zhì)譜儀或四極桿質(zhì)譜儀對硅中的硼進(jìn)行深度分析，并使用觸針輪廓測量法或光學(xué)干涉測量法進(jìn)行深度標(biāo)度校準(zhǔn)。該方法適用于硼原子濃度在 1 × 1016 原子/cm3 至 1 × 1020 原子/cm3 之間的單晶、多晶或非晶硅樣品，以及坑深度為 50 nm 或更深的樣品。

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