ISO 17560:2002
表面化學(xué)分析.再生離子質(zhì)量的光譜測定.硅中硼的深仿形方法
Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Method for depth profiling of boron in silicon
- 標(biāo)準(zhǔn)號
- ISO 17560:2002
- 發(fā)布
- 2002年
- 總頁數(shù)
- 18頁
- 發(fā)布單位
- 國際標(biāo)準(zhǔn)化組織
- 替代標(biāo)準(zhǔn)
- ISO 17560:2014
- 當(dāng)前最新
- ISO 17560:2014
- 適用范圍
- 本國際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了二次離子質(zhì)譜方法，使用扇形磁質(zhì)譜儀或四極桿質(zhì)譜儀對硅中的硼進(jìn)行深度分析，并使用觸針輪廓測量法或光學(xué)干涉測量法進(jìn)行深度標(biāo)度校準(zhǔn)。 該方法適用于硼原子濃度在1×10原子/cm和1×10原子/cm之間的單晶、多晶或非晶硅樣品，以及坑深度為50 nm或更深的樣品。