GB/T 24580-2009
重摻n型硅襯底中硼沾污的二次離子質(zhì)譜檢測方法
Test method for measuring Boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
GBT24580-2009, GB24580-2009
- 標準號
- GB/T 24580-2009
- 別名
- GBT24580-2009, GB24580-2009
- 發(fā)布
- 2009年
- 總頁數(shù)
- 10頁
- 采用標準
- SEMI MF 1528-1104 MOD
- 發(fā)布單位
- 國家質(zhì)檢總局
- 當前最新
- GB/T 24580-2009
- 引用標準
- ASTM E122
- 適用范圍
- 1.1本標準規(guī)定了重摻n型硅襯底中硼沾污的二次離子質(zhì)譜測試方法。本標準適用于二次離子質(zhì)譜法(SIMS)對重摻n型硅襯底單晶體材料中痕量硼沾污(總量)的測試。
1.2本標準適用于對銻、砷、磷的摻雜濃度<0.2%(l×10
atoms/cm 的硅材料中硼濃度的檢測。特別適用于硼為非故意摻雜的p型雜質(zhì)，且其濃度為痕量水平(<5×10 atoms/cm )的硅材料的測試。 1.3本標準適用于檢測砌沾污濃度大于SIMS儀器檢測限(根據(jù)儀器的型號不同，檢測限大約在5×10 atoms/cm ～5×10 atoms/cm )兩倍的硅材料。 1.4原則上，本標準對于不同表面情況的樣品都適用，但是本標準中的精度估算值是從表面拋光樣品的測試數(shù)據(jù)中得到的。
| 術(shù)語 | 描述 |
|---|---|
| 離子質(zhì)譜 Mass spectrometry | 根據(jù)質(zhì)荷比的不同將離子分開并計數(shù)的技術(shù)。 |
| 一次離子 Primary ion | 由離子槍產(chǎn)生的離子，聚焦到樣品表面，濺射并離化樣品表面原子。 |
| 二次離子質(zhì)譜 Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS) | 對樣品表面濺射出來的二次離子進行質(zhì)譜分析的技術(shù)。 |
| 二次離子 Secondary ion | 在一次離子束的濺射過程中，樣品表面原子離化并脫離樣品表面形成的離子。 |
GB/T 24580-2009 中提到的儀器設(shè)備
| CAMECA IMS-3 IMS-3 | 一種用于二次離子質(zhì)譜分析的高精度儀器，適用于半導體材料中痕量元素的檢測。 |
| CAMECA IMS-4 IMS-4 | 另一種用于SIMS技術(shù)的高性能設(shè)備，具備先進的檢測和分析功能。 |