GB/T 26533-2011
俄歇電子能譜分析方法通則
General rules for Auger electron spectroscopic analysis
GBT26533-2011, GB26533-2011
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- GB/T 26533-2011
- 別名
- GBT26533-2011, GB26533-2011
- 發(fā)布
- 2011年
- 總頁(yè)數(shù)
- 12頁(yè)
- 發(fā)布單位
- 國(guó)家質(zhì)檢總局
- 當(dāng)前最新
- GB/T 26533-2011
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM E1078-02 ASTM E1829-02 GB/T 22461-2008 ISO 18116:2005 ISO 18118:2002 ISO/TR 15969:2001 ISO/TR 18394:2006 ISO/TR 19319:2003
- 適用范圍
- 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了以電子束為激發(fā)源的俄歇電子能譜（AES,Auger Electron Spectroscopy）的一般表面分析方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于俄歇電子能譜儀。
| 術(shù)語(yǔ) | 描述 |
|---|---|
| 參考物質(zhì) Reference Material | 用于校正和標(biāo)定儀器能量標(biāo)尺的標(biāo)準(zhǔn)樣品，通常為高純度的金屬如Cu、Au和Al。 |
| 相對(duì)靈敏度因子 Relative Sensitivity Factor | 在定量分析中，用于校正不同元素俄歇電子信號(hào)強(qiáng)度差異的參數(shù)，基于參考物質(zhì)測(cè)量獲得。 |
GB/T 26533-2011 中提到的儀器設(shè)備
| 俄歇電子能譜儀 | 包括激發(fā)源、樣品室、能量分析器、檢測(cè)器和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)等部分的高精度表面分析儀器。 |
| 離子槍 氬離子源 | 用于清潔樣品表面或進(jìn)行深度剖析的工具，可中和荷電樣品并輔助濺射分析。 |
專題
GB/T 26533-2011相似標(biāo)準(zhǔn)
推薦
俄歇電子能譜分析的特點(diǎn)
1）分析層薄，0～3nm。AES的采樣深度為1～2nm，比XPS（對(duì)無(wú)機(jī)物約2nm，對(duì)高聚物≤10nm）還要淺，更適合于表面元素定性和定量分析。（2）分析元素廣，除H和He外的所有元素，對(duì)輕元素敏感。（3）分析區(qū)域小，≤50nm區(qū)域內(nèi)成分變化的分析。由于電子束束斑非常小，AES具有很高的空間分辨率...
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俄歇電子能譜分析的用途
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