俄歇電子和二次電子
本專題涉及俄歇電子和二次電子的標(biāo)準(zhǔn)有95條。
國際標(biāo)準(zhǔn)分類中，俄歇電子和二次電子涉及到分析化學(xué)、光學(xué)設(shè)備、光學(xué)和光學(xué)測量、金屬材料試驗(yàn)、電子元器件綜合、無損檢測、長度和角度測量、電池和蓄電池、電學(xué)、磁學(xué)、電和磁的測量。
在中國標(biāo)準(zhǔn)分類中，俄歇電子和二次電子涉及到基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、電子光學(xué)與其他物理光學(xué)儀器、金屬化學(xué)分析方法綜合、標(biāo)準(zhǔn)化、質(zhì)量管理、光學(xué)測試儀器、化學(xué)、質(zhì)譜儀、液譜儀、能譜儀及其聯(lián)用裝置、化學(xué)助劑基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、光學(xué)計(jì)量儀器、化學(xué)電源、綜合測試系統(tǒng)。
國家質(zhì)檢總局，關(guān)于俄歇電子和二次電子的標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 35158-2017 俄歇電子能譜儀檢定方法
- GB/T 26533-2011 俄歇電子能譜分析方法通則
- GB/T 36504-2018 印刷線路板表面污染物分析 俄歇電子能譜
- GB/T 28632-2012 表面化學(xué)分析.俄歇電子能譜和X射線光電子能譜.橫向分辨率測定
- GB/T 41064-2021 表面化學(xué)分析 深度剖析 用單層和多層薄膜測定X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜中深度剖析濺射速率的方法
- GB/T 21006-2007 表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀 強(qiáng)度標(biāo)的線性
- GB/Z 32494-2016 表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜 化學(xué)信息的解析
- GB/T 29558-2013 表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜 強(qiáng)度標(biāo)的重復(fù)性和一致性
- GB/T 36533-2018 硅酸鹽中微顆粒鐵的化學(xué)態(tài)測定 俄歇電子能譜法
- GB/T 25187-2010 表面化學(xué)分析.俄歇電子能譜.選擇儀器性能參數(shù)的表述
- GB/T 25187-2024 表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜 選擇儀器性能參數(shù)的表述
- GB/T 31470-2015 俄歇電子能譜與X射線光電子能譜測試中確定檢測信號(hào)對應(yīng)樣品區(qū)域的通則
- GB/T 32998-2016 表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜 荷電控制與校正方法報(bào)告的規(guī)范要求
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-機(jī)械，關(guān)于俄歇電子和二次電子的標(biāo)準(zhǔn)
- JB/T 6976-1993 俄歇電子能譜術(shù)元素鑒定方法
美國材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì)，關(guān)于俄歇電子和二次電子的標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM E1127-24 俄歇電子能譜深度剖面標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E996-10 俄歇電子光譜儀和X射線光電子能譜的報(bào)告數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)程
- ASTM E995-16 俄歇電子光譜和X射線光電子能譜背景減法技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E995-25 俄歇電子光譜和X射線光電子能譜背景減法技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E996-04 俄歇電子光譜儀和X射線光電子能譜的報(bào)告數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)程
- ASTM E983-04 最小化俄歇電子能譜中不需要的電子束效應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E983-10(2018) 俄歇電子光譜法中最小化不需要的電子束效應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E1127-08(2015) 俄歇電子能譜學(xué)中的深度壓形的標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E996-10(2018) 俄歇電子能譜和X射線光電子能譜中數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
- ASTM E1127-08 俄歇電子能譜學(xué)中的深度壓形的標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E996-19 俄歇電子能譜和X射線光電子能譜中數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
- ASTM E983-05 俄歇電子光譜法中最小化不需要的電子束效應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E996-94(1999) 俄歇電子能譜分析和X射線光電子光譜分析數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)程
- ASTM E983-94(1999) 俄歇電子光譜法中最小化不需要的電子束效應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E983-19 俄歇電子光譜法中最小化不需要的電子束效應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E1127-91(1997) 俄歇電子能譜學(xué)中的深度壓形的標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E995-11 在俄歇電子能譜和X射線光電子能譜中應(yīng)用背景消除技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E984-12(2020) 識(shí)別俄歇電子能譜中化學(xué)效應(yīng)和基質(zhì)效應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E984-95 識(shí)別俄歇電子能譜中化學(xué)效應(yīng)和基質(zhì)效應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E984-95(2001) 識(shí)別俄歇電子能譜中化學(xué)效應(yīng)和基質(zhì)效應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E827-07 用俄歇電子光譜儀的峰值識(shí)別元素的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
- ASTM E984-12 用俄歇電子能譜法鑒別化學(xué)效應(yīng)和基體效應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E983-10 在俄歇電子譜法中測定化學(xué)效應(yīng)和基質(zhì)效應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E984-06 用俄歇電子能譜法鑒別化學(xué)效應(yīng)和基體效應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E1217-11 用X射線光電子光譜儀和俄歇電子光譜儀測定影響檢測信號(hào)樣品面積的標(biāo)準(zhǔn)操作規(guī)程
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-電子，關(guān)于俄歇電子和二次電子的標(biāo)準(zhǔn)
- SJ/T 10457-1993 俄歇電子能譜術(shù)深度剖析標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)則
- SJ/T 10458-1993 俄歇電子能譜術(shù)和X射線光電子能譜術(shù)的樣品處理標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)則
國際標(biāo)準(zhǔn)化組織，關(guān)于俄歇電子和二次電子的標(biāo)準(zhǔn)
- ISO 17109:2022 表面化學(xué)分析.深度剖面.用單層和多層薄膜在X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜中測定濺射速率的方法
- ISO/TR 18394:2016 表面化學(xué)分析. 俄歇電子能譜學(xué). 提取化學(xué)信息
- ISO 18516:2006 表面化學(xué)分析.俄歇電子光譜法和X射線光電子光譜法.橫向分辨率測定
- ISO 21270:2004 表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀.強(qiáng)度標(biāo)的線性
- ISO/TR 18394:2006 表面化學(xué)分析.俄歇電子光譜法.化學(xué)信息的推導(dǎo)
- ISO 17109:2015/DAmd 1 表面化學(xué)分析 深度分析 X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜濺射深度分析中使用單層和多層薄膜的濺射速率測定方法 A...
- ISO 29081:2010 表面化學(xué)分析.俄歇電子能譜法.電荷控制和電荷調(diào)整用報(bào)告法
- ISO 16242:2011 表面化學(xué)分析.俄歇電子能譜術(shù)(AES)的記錄和報(bào)告數(shù)據(jù)
- ISO 17109:2015 表面化學(xué)分析. 深度剖析. 使用單層和多層薄膜測定X射線光電子能譜, 俄歇電子能譜以及二次離子質(zhì)譜法濺射深度剖析中濺射率的方法
英國標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(huì)，關(guān)于俄歇電子和二次電子的標(biāo)準(zhǔn)
- BS ISO 21270:2005 表面化學(xué)分析.X射線光電子和俄歇電子光譜儀.強(qiáng)度標(biāo)的線性度
- PD ISO/TR 18394:2016 表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜 化學(xué)信息的推導(dǎo)
- BS ISO 18516:2006(2010) 表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜和X射線光電子能譜 橫向分辨率的測定
- 21/30433862 DC BS ISO 17109 AMD1 表面化學(xué)分析 深度剖析 使用單一和……的 X 射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜濺射深度分析中濺射速率測定方法
- BS PD ISO/TR 18394:2006 表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜 化學(xué)信息的推導(dǎo)
- BS ISO 21270:2004(2010) 表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀 強(qiáng)度標(biāo)度線性度
- BS ISO 29081:2010 表面化學(xué)分析.俄歇電子能譜法.電荷控制和電荷調(diào)整用報(bào)告法
- BS PD ISO/TR 18394:2016 表面化學(xué)分析.俄歇電子光譜法.化學(xué)信息的推導(dǎo)
- BS ISO 18516:2006 表面化學(xué)分析.俄歇電子光譜法和X射線光電子光譜法.橫向分辨率測定
- BS ISO 21270:2004 表面化學(xué)分析 X 射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀 強(qiáng)度尺度的線性
- BS ISO 17109:2022 表面化學(xué)分析 深度剖析 使用單層和多層薄膜的 X 射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜濺射深度分析中濺射速率的測定方法...
- BS ISO 16242:2011 表面化學(xué)分析.俄歇電子能譜術(shù)的記錄和報(bào)告數(shù)據(jù)(AEC)
- BS ISO 17109:2015 表面化學(xué)分析. 深度剖析. 使用單層和多層薄膜測定X射線光電子能譜, 俄歇電子能譜以及二次離子質(zhì)譜法濺射深度剖析中濺射率的方法
- 09/30184131 DC BS ISO 29081 表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜 電荷控制和電荷校正方法報(bào)告
- BS ISO 24236:2005 表面化學(xué)分析.俄歇電子光譜法.強(qiáng)度標(biāo)的可重復(fù)性和一致性
- 10/30199172 DC BS ISO 16242 表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜法（AES）的數(shù)據(jù)記錄和報(bào)告
- BS ISO 15471:2016 表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜 所選儀器性能參數(shù)的描述
- BS ISO 15471:2004 表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜 所選儀器性能參數(shù)的描述
- BS ISO 15471:2005 表面化學(xué)分析.俄歇電子光譜法.選定的儀器性能參數(shù)的描述
法國標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會(huì)，關(guān)于俄歇電子和二次電子的標(biāo)準(zhǔn)
- NF ISO 16242:2012 表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜(AES)數(shù)據(jù)記錄和報(bào)告
- NF X21-072*NF ISO 16242:2012 表面化學(xué)分析.俄歇電子能譜術(shù)(AES)的記錄和報(bào)告數(shù)據(jù)
- NF ISO 24236:2006 表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜 能級(jí)的重復(fù)性和恒定性
- NF X21-068*NF ISO 29081:2010 表面化學(xué)分析 俄歇電子光譜法 電荷控制和校正用方法的報(bào)告
- NF ISO 29081:2010 表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜 電荷控制和校正所采用的方法的指示
- NF X21-059*NF ISO 24236:2006 表面化學(xué)分析.俄歇電子光譜法.強(qiáng)度等級(jí)的重復(fù)性和持久性
海灣阿拉伯國家合作委員會(huì)標(biāo)準(zhǔn)組織，關(guān)于俄歇電子和二次電子的標(biāo)準(zhǔn)
- GSO ISO 16242:2015 表面化學(xué)分析 在俄歇電子能譜中記錄和報(bào)告數(shù)據(jù)
- GSO ISO 18516:2013 表面化學(xué)分析俄歇電子能譜和X射線光電子能譜橫向分辨率的測定
- GSO ISO/TR 18394:2021 表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜 化學(xué)信息的推導(dǎo)
- GSO ISO 21270:2014 表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀 強(qiáng)度標(biāo)度的線性
韓國科技標(biāo)準(zhǔn)局，關(guān)于俄歇電子和二次電子的標(biāo)準(zhǔn)
- KS D ISO 21270:2005 表面化學(xué)分析.X射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀.強(qiáng)度標(biāo)的線性
- KS D ISO 21270-2020 表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜和俄歇電子能譜儀 強(qiáng)度標(biāo)度線性度
- KS D ISO 21270-2005(2020) 表面化學(xué)分析X射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀強(qiáng)度標(biāo)度的線性
- KS D ISO 15471-2020 表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜 所選儀器性能參數(shù)說明
- KS D ISO 15471-2005(2020) 表面化學(xué)分析－俄歇電子能譜學(xué)－選定儀器性能參數(shù)的描述
巴林國家計(jì)量局，關(guān)于俄歇電子和二次電子的標(biāo)準(zhǔn)
- BH GSO ISO 18516:2016 表面化學(xué)分析俄歇電子能譜和X射線光電子能譜橫向分辨率的測定
- BH GSO ISO 29081:2016 表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜 電荷控制和電荷校正方法的報(bào)告
- BH GSO ISO 16242:2017 表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜 (AES) 中記錄和報(bào)告數(shù)據(jù)
- BH GSO ISO 21270:2016 表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀 強(qiáng)度標(biāo)度的線性
阿曼規(guī)格和計(jì)量局，關(guān)于俄歇電子和二次電子的標(biāo)準(zhǔn)
- OS GSO ISO 18516:2013 表面化學(xué)分析俄歇電子能譜和X射線光電子能譜橫向分辨率的測定
- OS GSO ISO 29081:2013 表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜 電荷控制和電荷校正方法的報(bào)告
- OS GSO ISO 21270:2014 表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀 強(qiáng)度標(biāo)度的線性
德國標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)會(huì)，關(guān)于俄歇電子和二次電子的標(biāo)準(zhǔn)
- DIN ISO 16242 E:2019-10 表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜（AES）中的數(shù)據(jù)記錄和報(bào)告
- DIN ISO 16242:2020-05 表面化學(xué)分析 在俄歇電子能譜(AES)中記錄和報(bào)告數(shù)據(jù)
- DIN ISO 16242:2019-10 草案 表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜 (AES) 中的記錄和報(bào)告數(shù)據(jù) (ISO 16242:2011)
山東省地方標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于俄歇電子和二次電子的標(biāo)準(zhǔn)
- DB37/T 2393-2013 二次鋰離子電池電解液
